logo物理气相沉积 (PVD)
- 溅射沉积：使用溅射靶材，用离子轰击溅射出原子并沉积在基底上。
- 蒸发沉积：将材料蒸发成气相并沉积在基底上。
- 分子束外延 (MBE)：使用热源或电子束蒸发单个材料原子或分子，并在基底上进行精确沉积。
化学气相沉积 (CVD)
- 热化学气相沉积 (TCVD)：使用高温和反应气体使材料在基底上沉积形成薄膜。
- 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)：使用等离子体辅助反应以在较低温度下沉积薄膜。
- 金属有机化学气相沉积 (MOCVD)：使用金属有机前体在基底上沉积金属或半导体薄膜。
原子层沉积 (ALD)
- 热原子层沉积 (ALD)：交替脉冲引入反应物和清洗剂，在基底上逐层形成薄膜。
- 等离子体增强原子层沉积 (PEALD)：使用等离子体辅助反应提供更低的沉积温度。
其他
- 离子束沉积 (IBD)：使用离子束沉积材料原子或分子。
- 分子束外延 (MBE)：与 CVD 类似，但仅使用单一材料源。
- 电沉积：使用电化学反应在基底上沉积金属或氧化物薄膜。
- 溶胶-凝胶沉积：使用溶胶-凝胶溶液在基底上形成薄膜通过热处理。
